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碳化硅MOSFET優勢解析-具體有哪些優勢詳解

返回列表來源:壹芯微 發布日期 2020-08-28 瀏覽:-

碳化硅MOSFET優勢解析-具體有哪些優勢詳解

一分赛车碳化硅MOSFET有哪些優勢?

(一)開關損耗

碳化硅MOSFET有哪些優勢,下圖1是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平臺下進行開關損耗的對比測試結果。母線電壓800V, 驅動電阻RG=2.2Ω,驅動電壓為15V/-5V。使用1200V/20A G5 肖特基二極管 IDH20G120C5作為續流二極管。在開通階段,40A 的電流情況下,CoolSiCTM MOSFET 開通損耗比IGBT 低約50%,且幾乎不隨結溫變化。這一優勢在關斷階段會更加明顯,在25℃結溫下,CoolSiCTM MOSFET 關斷損耗大約是IGBT 的20%,在175℃的結溫下,CoolSiCTM MOSFET 關斷損耗僅有IGBT 的10%(關斷40A電流)。且開關損耗溫度系數很小。

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圖1 IGBT與CoolSiCTM開關損耗對比

(二)導通損耗

碳化硅MOSFET有哪些優勢,圖2是1200V HighSpeed3 IGBT (IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 的輸出特性對比。常溫下,兩個器件在40A 電流下的導通壓降相同。當小于40A 時,CoolSiCTM MOSFET 顯示出近乎電阻性的特性,而IGBT 則在輸出特性上有一個拐點,一般在1V~2V, 拐點之后電流隨電壓線性增長。當負載電流為15A 時,在常溫下,CoolSiCTM 的正向壓降只有IGBT 的一半,在175℃結溫下,CoolSiCTM MOSFET 的正向壓降約是IGBT 的80%。在實際器件設計中,CoolSiCTM MOSFET比IGBT 具有更低的導通損耗。

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一分赛车圖2 CoolSiCTM 和IGBT導通損耗對比

(三)體二極管續流特性

碳化硅MOSFET有哪些優勢,CoolSiCTM MOSFET的本征二極管有著和SiC肖特基二極管類似的快恢復特性。25℃時,它的Qrr和相同電流等級的G5 SiC 二極管近乎相等。然而,反向恢復時間及反向恢復電荷都會隨結溫的增加而增加。從圖3(a)中我們可以看出,當結溫為175℃時,CoolSiC? MOSFET 的Qrr略高于G5 肖特基二極管。圖3(b)比較了650V 41mΩ Si MOSFET 本征二極管和CoolSiCTM MOSFET 本征二極管的性能。在常溫及高溫下,1200V CoolSiCTM MOSFET 體二極管僅有Si MOSFET 體二極管Qrr的10%。

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圖3 CoolSiCTM MOSFET體二極管動態特性

相比其它MOSFET,CoolSiCTM 好在哪兒?

我們已經了解到,SiC材料雖然在擊穿場強、熱導率、飽和電子速率等方面相比于Si材料有著絕對的優勢,但是它在形成MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的時候,SiC-SiO2界面電荷密度要遠大于Si-SiO2,這樣造成的后果就是SiC表面電子遷移率要遠低于體遷移率,從而使溝道電阻遠大于體電阻,成為器件通態比電阻大小的主要成分。然而,表面電子遷移率在不同的晶面上有所區別。目前常見的SiC MOSFET 都是平面柵結構,Si-面上形成導電溝道,缺陷較多,電子遷移率低。英飛凌CoolSiCTM MOSFET 采用Trench 溝槽柵結構,導電溝道從水平的晶面轉移到了豎直的晶面,大大提高了表面電子遷移率,使器件的驅動更加容易,壽命更長。

SiC MOSFET在阻斷狀態下承受很高的電場強度,對于Trench 器件來說,電場會在溝槽的轉角處集中,這里是MOSFET耐壓設計的一個薄弱點。

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一分赛车圖4 CoolSiCTM MOSFET剖面示意圖

一分赛车相比于其它SiC MOSFET, CoolSiCTM MOSFET 有以下獨特的優勢:

一分赛车a)為了與方便替換現在的Si IGBT,CoolSiCTM MOSFET 推薦驅動電壓為15V,與現在Si 基IGBT驅動需求兼容。CoolSiCTM MOSFET典型閾值電壓4.5V, 高于市面常見的2~3V的閾值電壓。比較高的閾值電壓可以避免門極電壓波動引起的誤觸發。

一分赛车b)CoolSiCTM MOSFET 有優化的米勒電容Cgd 與柵源電容Cgs 比值,在抑制米勒寄生導通的同時,兼顧高開關頻率。

一分赛车c)大面積的深P阱可以用作快恢復二極管,具有極低的Qrr 與良好的魯棒性。

d)CoolSiCTM MOSFET提供芯片,單管,模塊多種產品。單管有TO-247 3pin 和 TO-247 4pin,開爾文接法可以防止米勒寄生導通,并減少開關損耗。模塊有EASY1B,EASY 2B, 62mm 等等, 可以覆蓋多種功率等級應用。模塊采用低寄生電感設計,為并聯設計優化,使PCB 布線更容易。

綜上所述,CoolSiCTM MOSFET是一場值得信賴的技術革命,憑借它的獨特結構和精心設計,它將帶給用戶一流的系統效率,更高的功率密度,更低的系統成本。

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